传统工艺前提下出产的碳化硅电热元件存在着内阻扩散性大、成品率低、烈度低、采用气温低、致密度差等事情。这些难关常年以来节制着碳化硅电热元件产业的技能提高、产业进级、节能降耗、金融效益调动和出口创汇。所以模索碳化硅电热元件的新式制备工艺与讨论其结晶机能，鉴于改善其采用机能、调动成品率、采用气温以及发展新式碳化硅电热元件均为十分必要的。近年来因为环保的需求，传统煤烧、油烧窑炉、逐步向气烧和电烧逆转，加之建筑材料、耐火材料、电子瓷器商品的更新换代，大部分电子瓷器商品、高级建筑材料、高级耐火材料都已经采用电热窑炉烧成，跟着全国工业窑炉和高温技能的发展，对碳化硅电热元件的采用气温和采用炉龄也提出了更高要求。

本文的重要讨论内容包含： (1) 经过优化素烧和烧成窑中的保温料验方，改善保温料的导暖和保温机能，扩大并平均温场，以调动成品率、扩大单产。 (2) 用当代测温技能、控温技能，严密操纵烧成曲线，解决素坯气温落发大造成的素烧化形事情，以达到调动成品率的目标。 (3) 利用单热源和双热源碳化硅合成炉，开展碳化硅电热元件的烧成实验。解决碳化硅电热元件热端烧成中窑内温差大、气温无法精确操纵，制品过烧和生烧造成的单体结晶机能差异大、内阻扩散性大、力学机能差、成品率低的事情。 (4) 采用X-射线齑粉衍射仪对制品的物相开展剖解，采用电子影印显微镜子对制品表层礼路、孔洞结构与分布、晶体结构开展剖解。 经过对制备工艺的讨论和制品机能的测验，找出最佳的素烧气温和最佳素烧补充料，并对照了单热源烧成和多热源烧成的气温场的特性，找出了烧成的最佳气温地区。经过对制品的物相剖解和结构表征，深入讨论烧成机理：碳化硅电热元件的再结晶衬映，便是在高温还原氛围中，棒体中次生碳化硅晶粒生成、成长、原碳化硅成长，之后互相接触成为紧密堆砌的会萃体的流程。讨论了碳化硅电热元件高温失效的重要缘由，

1 绪论9-201.1 SiC电热元件的重要机能和应用9-141.1.1 SiC电热元件的重要机能9-131.1.2 SiC电热元件的重要功用13-141.2 海内外相关碳化硅电热元件的讨论14-181.3 讨论的背景及意义181.4 本文讨论的内容及方式18-191.5 讨论的技能航线19-202 化验20-332.1 化验原料20-252.1.1 碳化硅202.1.2 石墨20-212.1.3 石油焦21-222.1.4 工业硅22-232.1.5 缔结剂23-242.1.6 海盐24-252.1.7 木屑252.2 化验设施25-272.3 工艺流程272.4 验方设计27-282.5 坯体的素烧282.6 素坯发烧部的烧成28-322.6.1 单热源烧成29-302.6.2 双热源烧结30-322.7 冷端部的硅化322.8 本章小结32-333 单热源烧成和双热源烧成的比较33-413.1 碳化硅电热元件烧成炉内传热方式的剖解33-343.2 单热源对气温场的奉献34-363.3 双热源对气温场的奉献36-383.4 炉芯气温的测绘与操纵38-403.5 本章小结40-414 化验结果剖解与座谈41-634.1 机能表征及显微结构测验41-434.1.1 显气孔率和容重414.1.2 内阻率41-424.1.3 抗压烈度424.1.4 弯曲度的捡验424.1.5 物相剖解42-434.1.6 结构表征434.2 化验结果剖解与座谈43-504.2.1 制备工艺各条件剖解43-464.2.2 素烧气温对试样的影响46-484.2.3 烧成气温对试样机能的影响48-504.2.4 制品的气孔率的分布504.3 衬映料对制品机能的影响50-534.3.1 衬映料硅过量时对制品机能的影响514.3.2 衬映料碳过量时对制品机能的影响51-524.3.3 炉内的衬映机理52-534.4 制品的物相剖解与结构表征53-584.4.1 制品的 XRD测验剖解53-544.4.2 制品的 SEM测验剖解54-584.4.3 杂质对衬映流程的影响584.5 碳化硅电热元件的导电机理58-594.6 碳化硅电热元件高温失效剖解59-604.7 涂层对碳化硅电热元件的保护效用60-624.8 本章小结62-635 定论63-64致谢64-65稽考文献65-67附录67